2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.10 化合物太陽電池

[15a-2M-1~13] 13.10 化合物太陽電池

2015年9月15日(火) 09:00 〜 12:15 2M (224-1(南側))

座長:荒木 秀明(長岡高専)

10:00 〜 10:15

[15a-2M-5] In2S3バッファ層を用いたCu2ZnSnS4太陽電池の作製

〇尾崎 ちぐさ1、Feng Jiang1、原田 隆史1、中西 周次1、池田 茂1 (1.大阪大学)

キーワード:太陽電池、CZTS

Cu2ZnSnS4(CZTS)太陽電池の高効率化を指向して、従来のCdSバッファ層の代替材料の開発が検討されている。なかでもIn2S3は最も期待される材料の一つである。本研究では、In2S3層の膜厚を変化させたCZTS太陽電池を作製し、太陽電池特性の評価を行った。またIn2S3層堆積後の熱処理による太陽電池特性の向上を確認し、In2S3膜厚約100 nmのサンプルで最大6.9%の変換効率を得た。