[15a-2M-1~13] 13.10 化合物太陽電池

[15a-2M-6] ALD法(Zn,Sn)Oバッファ層を用いたCZTS太陽電池の特性

〇田島 伸¹、梅原 密太郎¹、三瀬 貴寛¹、深野 達雄¹、伊藤 忠義¹ (1.豊田中研)

キーワード：CZTS、太陽電池、ZnSnO

CZTSセルのJsc向上には、短波長域の量子効率を向上できるワイドバンドギャップバッファ層が求められている。今回、原子層堆積（ALD）法による(Zn,Sn)Oワイドバンドギャップバッファ層をCZTSセルに対して適用することを試みた。