[15a-2S-1~11] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[15a-2S-1] Growth of Si ingots with 33 cm diameter using a crucible with 40 cm diameter by Noncontact crucible method

〇Kazuo Nakajima¹, Satoshi Ono¹, Ryota Murai¹, Yuzuru Kaneko¹, Frederic JAY², Yannick VESCHETTI², Anis JOUINI² (1.FUTURE-PV Innovation JST Koriyama Site, 2.National Institute of Solar Energy (INES R&D))

Keywords:Si ingot single crystals,solar cells,melt growth incrucibles

ルツボ内の融液中に大きな低温領域を形成して、その中でSi結晶を成長するNoncontact Crucible Method (NOC法)を我々は提案している。
本発表では、本成長法の特徴の一つである直径比（インゴット結晶径/ルツボ径）の大きな結晶を成長できる性質を利用して40 cm径ルツボを用いて33 cm径のインゴット結晶の成長を試みたので紹介する。