[15a-2S-1~11] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[15a-2S-3] Effect of deviation angle from Σ3 boundary on defect generation during Si melt growth

〇(M1)TAISHO IWATA¹, ISAO TAKAHASHI¹, NORITAKA USAMI¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:crystal growth,solar cells,silicon

モノライクキャスト法は、種結晶接合部からの転位発生が課題である。そのため、粒界からの転位発生メカニズムの解明が必要となる。本研究では、キャスト成長法で最も一般的で粒界エネルギーの小さいΣ3粒界について、Σ3からのズレ角と転位発生を調べた。 その結果ズレを持つΣ3粒界は転位発生や粒界の分岐がおこり、ズレのないものは欠陥発生が見られなかった。したがって、ズレ角が転位発生に影響を与えることがわかる。