[15a-2S-1~11] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[15a-2S-5] Evaluation of three dimensional analysis of dislocation density and residual stress in multicrystalline silicon for solar cells

〇Satoshi Nakano¹, Bing Gao¹, Karolin Jiptner², Hirofumi Harada², Yoshiji Miyamura², Takashi Sekiguchi², Masayuki Fukuzawa³, Koichi Kakimoto¹ (1.RIAM, Kyushu Univ., 2.NIMS, 3.Kyoto Inst. Tech.)

Keywords:dislocation,reidual stress

太陽電池用多結晶Siにおいて、転位は変換効率低下の大きな要因となっている。また、残留応力は結晶育成中や切断時の破砕の原因である。よって、太陽電池の品質向上のためには、転位密度、残留応力の制御が必要である。本研究では、転位密度、残留応力の3次元解析を行い、実験結果と比較することで、数値解析の妥当性について評価した。その結果、転位密度分布の計算結果と実験結果が定量的にほぼ同じとなることがわかった。