[15a-2S-1~11] 16.3 シリコン系太陽電池

[15a-2S-5] 太陽電池用多結晶Si育成時における3次元転位密度・残留応力解析の評価

〇中野 智¹、高 冰¹、Jiptner Karolin²、原田 博文²、宮村 佳児²、関口 隆史²、福澤 理行³、柿本 浩一¹ (1.九大応力研、2.物質・材料研究機構、3.京都工繊大)

キーワード：転位密度、残留応力

太陽電池用多結晶Siにおいて、転位は変換効率低下の大きな要因となっている。また、残留応力は結晶育成中や切断時の破砕の原因である。よって、太陽電池の品質向上のためには、転位密度、残留応力の制御が必要である。本研究では、転位密度、残留応力の3次元解析を行い、実験結果と比較することで、数値解析の妥当性について評価した。その結果、転位密度分布の計算結果と実験結果が定量的にほぼ同じとなることがわかった。