[15a-2T-1~12] 17.4 デバイス応用

[15a-2T-1] Cat-CVD法によるSiN_x絶縁膜を用いたSiCグラフェンFETの作製

〇大野 恭秀¹、永瀬 雅夫¹、松本 和彦² (1.徳島大、2.阪大産研)

キーワード：グラフェン、電界効果トランジスタ