[15a-2T-1~12] 17.4 デバイス応用

△ [15a-2T-5] 電流アニーリングによるグラフェン量子ドットの作製

〇金井 康¹、生田 昂¹、小野 尭生¹、大野 恭秀^1,2、前橋 兼三^1,3、井上 恒一¹、松本 和彦¹ (1.阪大産研、2.徳島大、3.東京農工大)

キーワード：グラフェン、量子ドット

化学気相法によって合成したグラフェンをSi/SiO₂基板上に転写し、反応性イオンエッチングによって100 nm程度の幅にエッチングした。さらに室温大気下でグラフェンに電流を流して加熱することにより、グラフェンを微細加工し、量子ドットとして動作させることを行った。希釈冷凍機により10 mK程度で測定したところ量子ドットの特性であるクーロン振動を観測した。