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[15a-3A-8] 強磁性共鳴を用いたCoFeB/MgO界面磁気異方性の評価
キーワード:スピントロニクス
CoFeB/MgO接合における界面磁気異方性を、電界効果を用いて変化させることを目的とした。実験にはTa(5 nm)/Ru(10 nm)/Ta(5 nm)/CoFeB(1.9 nm)/MgO(2 nm)/Al2O3(10 nm)多層膜試料を長さ200 um 、幅20 umの細線に加工して使用した。 CoFeB/MgO界面磁気異方性の電界効果を評価するために強磁性共鳴を利用し、CoFeBの強磁性共鳴をバッファー層であるTaの逆スピンホール効果により検出した。 発表では界面への電圧印加時のスペクトルや異方性磁界の変化も加えて議論する。