[15a-4C-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15a-4C-11] GaNキャップ層を有するAlGaN/GaN HEMTの酸素プラズマ処理による電流コラプス改善

〇吉田 知司¹、坂井田 佳紀、Joel Asubar¹、徳田 博邦¹、葛原 正明¹ (1.福井大院工)

キーワード：AlGaN/GaN、電流コラプス、酸素プラズマ

AlGaN/GaN HEMTは高効率、高耐圧、高温特性に優れており次世代パワースイッチング素子への応用が期待されている。しかし、高電圧スイッチング動作時にオン抵抗が増加する電流コラプス現象が問題となっている。本研究では、GaNキャップ層を有するHEMTに対して酸素プラズマ処理を行い、電流コラプスに与える影響について評価したので報告する。