[15a-4C-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15a-4C-12] 放射光を用いたX線光電子分光による成膜後アニールを施したALD-Al₂O₃/AlGaN界面の評価

〇久保 俊晴¹、三好 実人¹、江川 孝志¹ (1.名工大)

キーワード：AlGaN/GaN HEMT、絶縁膜、アニール

本研究では、成膜後アニール(PDA)を施した5nm厚のAl₂O₃膜とAlGaN界面の結合状態を放射光を使用したXPS測定により調べた。Ga2pスペクトルから、PDA温度が上昇するに従い、Al₂O₃膜中の酸素がAlGaN側へ拡散していることが示唆された。600℃以上の温度ではスペクトルのピークシフトが飽和し、600～700℃の間の温度でAl₂O₃膜の結晶性が大きく変化する結果と一致した。