2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

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[15a-4C-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

2015年9月15日(火) 09:00 〜 12:30 4C (432)

座長:牧山 剛三(富士通研)

12:15 〜 12:30

[15a-4C-13] プラズマCVD-SiO2を用いたGaN基板上MOSFETの特性

〇上野 勝典1、高島 信也1、松山 秀昭1、江戸 雅晴1、中川 清和2 (1.富士電機（株）、2.山梨大)

キーワード：GaN、MOSFET、SiO2