[15a-4C-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15a-4C-2] AlGaN/GaN HEMTへの凹凸AlGaN層導入によるコンタクト抵抗低減効果の凹凸構造サイズ依存性

〇下田 智裕¹、武井 優典¹、筒井 一生¹、齋藤 渉²、角嶋 邦之¹、若林 整¹、岩井 洋¹ (1.東工大、2.東芝ｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｰ&ｽﾄﾚｰｼﾞ社)

キーワード：AlGaN、凹凸構造、オーミックコンタクト