[15a-4C-1~13] 13.8 Compound and power electron devices and process technology

△ [15a-4C-7] Analyses of photoanodized GaN surface in back-side illumination mode

〇Masaaki Edamoto¹, Yusuke Kumazaki¹, Zenji Yatabe¹, Taketomo Sato¹ (1.RCIQE,Hokkaido Univ.)

Keywords:GaN,photo-electrochemical reaction,anodic oxidation

GaN表面のウェット酸化プロセスは、一般にバンドギャップ以上のエネルギーを持つ光（hn > E_g）を反応面である試料表面へ照射して行われる。本研究では、酸化過程の詳細を明らかにするため、試料裏面より光を照射しながら陽極酸化を行い、表面分析を行った。