[15a-4C-1~13] 13.8 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[15a-4C-9] Mgイオン注入GaN層の微視的評価

〇西城 祐亮¹、柘植 博史¹、加藤 茂樹¹、西村 智明¹、三島 友義¹、中村 徹¹ (1.法政大)

キーワード：窒化ガリウム

我々はこれまで、高品質なGaN自立基板上のn-GaNエピタキシャル層へMgイオン注入を行い、低温PL、整流性、電流注入によるUV-青色発光や正のホール係数等の観測からp型層の形成を報告した。今回、I-V特性や顕微PLマッピングにより詳細に評価したので報告する。