9:30 AM - 9:45 AM
[15a-4F-3] Bandgap control of CVD camphoric carbon thin films with HMDS
Keywords:carbon,camphoric,HMDS
横型管状炉2台を用いた常圧熱CVD装置により石英基板及びc面サファイア基板上にa-CCの堆積を行った。熱CVD法で堆積できる堆積温度ではバンドギャップ0.14 eV以下と小さいこと、欠陥を有するグラファイト構造を主成分とすること、堆積レート以外の堆積温度依存性はほとんどないことがわかった。Si-C結合による広バンドギャップ化を期待し、HMDSを導入したa-CCの堆積を行ったところ、光学バンドギャップを広げることが出来た。