[15a-4F-1~9] 6.2 カーボン系薄膜

[15a-4F-3] HMDSを用いたCVD樟脳カーボン薄膜の広バンドギャップ化

〇戸田 聡¹、坂本 祐樹¹、羽坂 奨馬¹、石川 博康^1,2 (1.芝浦工大、2.SIT GI研究センター)

キーワード：カーボン、樟脳、ヘキサメチルジシラザン

横型管状炉2台を用いた常圧熱CVD装置により石英基板及びc面サファイア基板上にa-CCの堆積を行った。熱CVD法で堆積できる堆積温度ではバンドギャップ0.14 eV以下と小さいこと、欠陥を有するグラファイト構造を主成分とすること、堆積レート以外の堆積温度依存性はほとんどないことがわかった。Si-C結合による広バンドギャップ化を期待し、HMDSを導入したa-CCの堆積を行ったところ、光学バンドギャップを広げることが出来た。