[15a-PB3-1~12] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[15a-PB3-11] 歪みグラフェンp-n接合の電気伝導特性に関する量子輸送シミュレーション

〇(M1)市原 圭祐¹、笹岡 健二¹、小川 真人¹、相馬 聡文¹ (1.神大院工)

キーワード：歪みグラフェン、非平衡グリーン関数、p-n接合

本研究では，歪みグラフェンを用いたp-n接合系の電気伝導特性を明らかにすることを目的とする．そのような目的のもと，本講演では，より複雑な歪み分布，ポテンシャル分布に対応するために，非平衡グリーン関数を用いて解析する手法を述べると共に，これを用いて，歪み/無歪みグラフェンp-n接合系の基本的特性を明らかにするために行った解析結果を報告する．また，この構造を用いて整流特性が得られる可能性についても検討する.