[15p-1B-1~18] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [15p-1B-11] X線光電子分光によるInGaZnOのキャリア生成メカニズムの解析
～Heプラズマ処理時の基板バイアスの効果～

〇(M1)曲 勇作¹、牧野 久雄^1,2、Wang Dapeng^1,2、古田 守^1,2 (1.高知工大、2.総研)

キーワード：酸化物半導体、プラズマ処理