[15p-1B-1~18] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[15p-1B-17] ヒータ構造を付加したa-InGaZnO TFTの発熱特性

〇岩松 新之輔¹、阿部 泰¹、矢作 徹¹、加藤 睦人¹ (1.山形県工技セ)

キーワード：酸化物半導体、マイクロヒータ、ガスセンサ