[15p-1B-1~18] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[15p-1B-4] GaNとβ-Ga₂O₃のヘテロ構造に基づくショットキーダイオード

〇中込 真二¹、高橋 勇祐¹、佐藤 孝彰¹、國分 義弘¹ (1.石巻専修大理工)

キーワード：Ga2O3、GaN、ショットキーダイオード

GaNテンプレート基板上にβ-Ga₂O₃層を形成したヘテロ構造を有するプレーナー型ショットキーダイオードを試作したので報告する。β-Ga₂O₃ (-201)面はGaNのc面に平行になるように配向。電流-電圧特性の温度依存性を測定した。2Vにおける整流比は室温で10⁶以上であり、300℃においても660倍。