[15p-1B-1~18] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[15p-1B-5] IGZO膜におけるスパッタリング条件依存性

〇上野 充¹、新井 真¹、清田 淳也¹、齋藤 一也¹ (1.株式会社アルバック)

キーワード：酸化物半導体、IGZO、スパッタ

IGZOターゲットと基板を対向させ、ターゲット中心から0、80、160mmの位置で膜密度、膜組成を評価した。結果、0mmから160mmに向かうにつれて膜密度が減少していることが分かった。この結果は2013年秋に報告されている入射成分と膜密度の関係を再現している。1)
同様の評価位置で膜組成をみると各評価位置でIn、Ga、Znの各組成が異なることが分かった。
1)坂本純一, 他 : 応用物理学会, 2013秋季第74回学術講演会17p-B4-14