[15p-1B-1~18] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[15p-1B-6] TFT用アモルファス酸化物半導体の最適製膜条件の特徴

〇神谷 利夫^1,2、井手 啓介¹、雲見 日出也²、細野 秀雄^1,2 (1.東工大応セラ研、2.東工大元素センター)

キーワード：アモルファス酸化物半導体、薄膜トランジスタ、最適製膜条件

アモルファス酸化物半導体の最適製膜条件の特徴について議論する。特に、イオン衝撃の強い条件の方が膜密度が高く、欠陥密度の低い膜が得られ、良いTFT特性がえられる。その他、最適酸素分奴や不純物水素の影響についても議論する。