[15p-1B-1~18] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

△ [15p-1B-7] アモルファスIn-Ga-Zn-Oにおける過剰酸素と不安定性の関係

〇井手 啓介¹、平松 秀典¹、雲見 日出也²、細野 秀雄^1,2、神谷 利夫^1,2 (1.東工大応セラ研、2.東工大元素センター)

キーワード：薄膜トランジスタ、酸化物半導体、アモルファス