[15p-1B-1~18] 21.1 合同セッションＫ ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス

[15p-1B-9] チタン酸化物薄膜への電気化学的手法による微細領域キャリアドーピング

〇矢嶋 赳彬¹、西村 知紀¹、鳥海 明¹ (1.東京大学)

キーワード：酸化物半導体、電気化学ドーピング

本研究では、酸化物半導体への安価なキャリアドーピング手法として、電気化学ドーピングを実証した。電気化学ドーピングが従来用いられてきたイオン注入の代わりになりうるかどうか調べるため、典型的な酸化物半導体であるTiO₂を用いて、キャリアドープ量制御、ドープ深さ評価、ドープ領域の微細パターニング等を行った。