[15p-1C-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[15p-1C-1] FD-SOTB nMOSFETにおけるRTN振幅統計分布の基板バイアス依存性

〇Jang Kyungmin¹、水谷 朋子¹、竹内 潔¹、更屋 拓哉¹、小林 正治¹、平本 俊郎¹ (1.東大生研)

キーワード：ランダムテレグラフノイズ、FDSOI、FD-SOTB nMOSFET

完全空乏型SOTB MOSFETにおいて，ランダムテレグラフノイズ(RTN)の統計分布の 基板バイアス依存性を系統的に調べた．SOTB FETには表の酸化膜界面に加えて， 裏にSOI/BOX界面が存在するが，RTNの基板バイアス依存性の実測から，RTN振幅 の統計分布にSOI/BOX界面の影響は生じているとの結果は得られなかった．