2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

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13 半導体 » 13.5 デバイス/集積化技術

[15p-1C-1~18] 13.5 デバイス/集積化技術

2015年9月15日(火) 13:15 〜 18:00 1C (135)

座長:齋藤 真澄(東芝),入沢 寿史(産総研)

16:30 〜 16:45

[15p-1C-13] 3次元ICに向けた多結晶InSb薄膜の電気特性評価

〇(M1)高橋 正紘1,2、藤川 沙千恵1、藤代 博記1、入沢 寿史2、富永 淳二2、前田 辰郎1,2 (1.東理大院基礎工、2.産総研)

キーワード:半導体