17:45 〜 18:00
△ [15p-1C-18] 2次元固定負電荷誘起による2DHGを用いたC-HダイヤモンドMOSFETデバイスシミュレーション
キーワード:デバイスシミュレーション、ダイヤモンド、MOSFET
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.5 デバイス/集積化技術
2015年9月15日(火) 13:15 〜 18:00 1C (135)
座長:齋藤 真澄(東芝),入沢 寿史(産総研)
17:45 〜 18:00
キーワード:デバイスシミュレーション、ダイヤモンド、MOSFET