[15p-1C-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[15p-1C-3] 高エネルギー重イオン入射によるSOI-SRAMのソフトエラー発生の生成電荷分布依存性評価

〇阿保 智¹、迫間 昌俊¹、若家 冨士男¹、小野田 忍^1,2、牧野 高紘²、大島 武²、尾田 秀一³、高井 幹夫¹ (1.阪大院基礎工、2.原子力機構、3.ルネサスエレクトロニクス)

キーワード：ソフトエラー、SOI-SRAM、信頼性