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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.5 デバイス／集積化技術

[15p-1C-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

2015年9月15日(火) 13:15 〜 18:00 1C (135)

座長:齋藤真澄(東芝),入沢寿史(産総研)

14:15 〜 14:30

[15p-1C-5] MOSFET上に集積化したCu-MoO_x-Al抵抗変化型メモリのRESET時多値メモリ動作

〇富崎和正¹、安藤秀幸¹、森江隆¹、廣井孝弘²、中根明俊²、福地厚²、有田正志²、高橋庸夫² (1.九工大・生命体工、2.北大・院情報)

キーワード：抵抗変化型メモリ

　　　