14:30 〜 14:45
△ [15p-1C-6] 磁性体電極を用いた抵抗変化メモリ素子におけるスイッチング特性及び磁気抵抗効果の評価
キーワード：抵抗変化メモリ
講演情報
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.5 デバイス／集積化技術
[15p-1C-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術
2015年9月15日(火) 13:15 〜 18:00 1C (135)
座長:齋藤 真澄(東芝),入沢 寿史(産総研)
一般セッション(口頭講演)
13 半導体 » 13.5 デバイス／集積化技術
2015年9月15日(火) 13:15 〜 18:00 1C (135)
座長:齋藤 真澄(東芝),入沢 寿史(産総研)
14:30 〜 14:45
キーワード：抵抗変化メモリ