[15p-1C-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[15p-1C-7] 線幅2nmの超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおける量子閉じ込め効果によるしきい値電圧および電流ばらつき

〇水谷 朋子¹、棚橋 裕麻¹、鈴木 龍太¹、更屋 拓哉¹、小林 正治¹、平本 俊郎¹ (1.東大生研)

キーワード：ナノワイヤトランジスタ、ばらつき、量子閉じ込め効果

シリコンナノワイヤトランジスタは，ゲート電極による電界制御性に優れた3次元構造を有しており，短チャネル効果抑制に効果的で将来有望なデバイスとして注目を集めている．しかし，デバイスサイズが超微細であるため，特性ばらつきの増大が懸念される．本研究では，超微細シリコンナノワイヤトランジスタにおけるしきい値電圧およびオン電流のばらつきを測定し統計的解析を行うとともに，特性ばらつきの原因がナノワイヤトランジスタ特有の量子閉じ込め効果であることを明らかにした．