[15p-1C-1~18] 13.5 デバイス／集積化技術

[15p-1C-9] エクステンションへのイオン注入に起因するFinFETのGIDL

〇松川 貴¹、柳 永勛¹、大塚 慎太郎¹、森 貴洋¹、森田 行則¹、大内 真一¹、更田 裕司¹、右田 真司¹、昌原 明植¹ (1.産総研)

キーワード：FinFET、GIDL、イオン注入

近年、IoT向けセンサーノード用途で、極低消費電力(ULP)集積回路の要求が高まっている。FinFETへのドーピングに際してはイオン注入により発生する結晶欠陥がgate induced drain leakage(GIDL)を引き起こし、ULP用途においてはその制御が重要である。本稿では、FinFETのGIDLとfin厚さの関係を調査し、イオン注入による残留欠陥がGIDLに与える影響を議論する。