[15p-1D-1~11] 窒化物半導体特異構造の科学　～表面・界面の制御と物理～

[15p-1D-11] サファイア上への窒化物半導体エピタキシーにおける界面制御

〇三宅 秀人¹、平松 和政² (1.三重大院地域イノベ、2.三重大院工)

キーワード：AlN、選択横方向成長、高温アニール

窒化物半導体の転位密度の低減に，成長時におけるファセット制御が非常に重要である。GaNの有機金属気相成長（MOVPE）では，選択成長の結晶形態は成長温度，成長圧力などにより制御できる。ファセット構造を制御しながら選択横方向成長（ELO）を行うFACELOにより10⁸cm^-2台まで転位密度の低減が可能となった。また，MOVPE法によってサファイア上に成長させたAlNバッファ層をN₂-CO雰囲気中，1700℃でアニールすることによって，AlNのXRCのFWHMが(0002)で16arcsec， (10-12)で154arcsecの大幅な低減に成功した。