[15p-1D-1~11] 窒化物半導体特異構造の科学　～表面・界面の制御と物理～

[15p-1D-2] 窒化物半導体の成長表・界面制御と転位挙動
－ Naフラックス成長GaN結晶を中心に －

〇酒井 朗¹、浅津 宏伝¹、竹内 正太郎¹、中村 芳明¹、今西 正幸²、今出 完²、森 勇介² (1.阪大院基礎工、2.阪大院工)

キーワード：窒化物半導体、転位、Naフラックス法

本講演においては、主として、最近我々が取り組んでいる、Naフラックス成長法によるGaNバルク結晶に着目し、結晶中の転位の構造と形態に対する透過電子顕微鏡観察結果を報告する。特に、Naフラックス法に特有の結晶成長機構と、その発現に応答する転位の伝播挙動を解析する。気相成長とは異なる、液相成長ならでは特徴にも着目し、同成長法における成長表・界面の制御が転位の伝播挙動に与える影響を議論する。