[15p-1D-1~11] 窒化物半導体特異構造の科学　～表面・界面の制御と物理～

[15p-1D-5] 規則的配列InGaN/GaN系ナノコラムと発光デバイス応用

〇岸野 克巳^1,2、石沢 峻介¹、林 宏曉¹、山野 晃司¹、大音 隆男¹、加納 達也¹ (1.上智大理工、2.上智ﾅﾉﾃｸｾﾝﾀｰ)

キーワード：窒化物半導体、ナノコラム、InGaN発光デバイス

この講演ではInGaN/GaN系規則配列ナノコラムの結晶成長と発光デバイス応用について述べる。コラム径50nm以下のナノコラム選択成長（SAG）について述べたのちに、四色集積型ナノコラムLED、指向性の高い放射ビームをもつ黄色発光ナノコラムLEDのLED動作、スペックル雑音フリーナノコラムレーザの基礎実験について述べる。Si基板上のGaNナノコラムの選択成長を行い、欠陥フィルタリング効果、ナノコラムLEDのフリップチップ実装について議論する。