2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » 窒化物半導体特異構造の科学 ~表面・界面の制御と物理~

[15p-1D-1~11] 窒化物半導体特異構造の科学 ~表面・界面の制御と物理~

2015年9月15日(火) 13:15 〜 17:45 1D (141+142)

座長:三宅 秀人(三重大),片山 竜二(東北大),熊谷 義直(農工大)

16:45 〜 17:00

[15p-1D-9] 酸性アモノサーマル法合成GaN種結晶上にハイドライド気相エピタキシャル成長させたm面自立GaN基板の電気的・光学的特性

〇小島 一信1、塚田 悠介2、古川 えりか1、斉藤 真1,2、三川 豊2、久保 秀一2、池田 宏隆2、藤戸 健史2、上殿 明良3、秩父 重英1 (1.東北大多元研、2.三菱化学(株)、3.筑波大物理工)

キーワード:GaN