[15p-1G-1~19] 12.4 有機EL・トランジスタ

△ [15p-1G-9] ブレードコート法による分子化合物n型薄膜トランジスタ

〇柴田 陽生¹、堤 潤也¹、松岡 悟志¹、峯廻 洋美¹、荒井 俊人²、長谷川 達生^1,2 (1.産総研FLEC、2.東大工)

キーワード：分子化合物半導体、n型トランジスタ、溶液プロセス

分子化合物半導体は単一の有機半導体材料には無い優れた物性を持つことから、デバイス応用が期待されている。しかしながら、その多くは一次元的な結晶成長が支配的であるために薄膜化が困難であった。本研究では、ベンゾチエノベンゾチオフェン誘導体とテトラシアノキノジメタン誘導体から成る薄膜化に有利と考えられる層状結晶性の分子化合物半導体に着目し、溶液プロセスによる薄膜化および薄膜トランジスタを検討したので、その結果について報告する。