[15p-2C-1~23] CS2 3.11 フォトニック構造・現象,13.7 ナノ構造・量子現象のコードシェアセッション

[15p-2C-1] MBE空孔埋め込み法における原子状水素表面処理に関する検討

〇(DC)西本 昌哉^1,2、前川 享平¹、石崎 賢司¹、北村 恭子^1,3、野田 進¹ (1.京大院工、2.学振特別研究員、3.京都工繊大)

キーワード：フォトニック結晶、分子線エピタキシー、半導体レーザ

我々は、フォトニック結晶レーザの作製法として、MBE空孔埋め込み法を開発し、3次元的な空孔形状の制御が可能であることを示した。ここで、MBE空孔埋め込み法では、加熱酸化膜除去工程を、フォトニック結晶構造を維持するために比較的低温で実施しなければならない。このとき、酸化膜除去が不十分なことによりレーザの動作特性に悪影響を及ぼす可能性がある。そこで、加熱酸化膜除去工程中に原子状水素を照射することを検討した。