14:30 〜 15:00
[15p-2J-2] 原子レベル構造制御基板上でのエピタキシャル薄膜の”室温”創製と新機能開拓
キーワード:エピタキシャル薄膜、ワイドギャップ半導体、酸化物
本講演では、ZnOやGa2O3などのワイドギャップ半導体薄膜を、「室温」という非常識な低温でエピタキシャル成長させることを狙い、種々の基板表面の原子レベル構造制御とオリジナルな成膜プロセスにスポットを当て、我々の最近の研究成果を中心に述べる。
シンポジウム(口頭講演)
シンポジウム » 機能性酸化物の原子・ナノスケール機能開拓最前線
2015年9月15日(火) 13:45 〜 18:30 2J (223)
座長:神吉 輝夫(阪大),島 久(産総研)
14:30 〜 15:00
キーワード:エピタキシャル薄膜、ワイドギャップ半導体、酸化物