2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.2 評価・基礎物性

[15p-2N-1~17] 12.2 評価・基礎物性

6.6と12.2のコードシェアセッションあり

2015年9月15日(火) 14:00 〜 18:30 2N (224-2(北側))

座長:真島 豊(東工大),山田 洋一(筑波大)

14:45 〜 15:00

[15p-2N-4] 変調ドーピング有機半導体超格子におけるイオン化率増感

〇新村 祐介1,2、平本 昌宏1,2 (1.分子研、2.CREST/JST)

キーワード:有機半導体、ドーピング、超格子

最近、我々は有機半導体共蒸着膜において、ドーピングイオン化率増感が起こることを見出し、電荷分離超格子モデルを提出した。今回、実際に2種類の有機半導体を交互積層した超格子に対して変調ドーピング、すなわち、片方の有機半導体のみにドーピングすることで、電荷移動が起こり、提出したモデルのとおり、イオン化率が増大することを明らかにしたので報告する。