[15p-2Q-1~17] 8.7 プラズマ現象・新応用・融合分野

△ [15p-2Q-1] TEOS vapourの電子衝突断面積

〇(D)川口 悟¹、佐藤 孝紀¹、伊藤 秀範¹ (1.室蘭工大)

キーワード：テトラエトキシシラン、電子衝突断面積、モンテカルロシミュレーション

TEOS蒸気の電子衝突断面積がいくつか報告されているが，それらを用いて得られる電子輸送係数は必ずしも実測値と一致するとは限らない。ここでは，モンテカルロシミュレーションを用いた電子スオーム法によって，広範囲の換算電界(10 － 6,000 Td)において実測値と一致する電子ドリフト速度，電離係数および縦方向拡散係数が得られるTEOS蒸気の電子衝突断面積セットを推定した結果について報告する。