2015年 第76回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

印刷

一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[15p-2R-1~22] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2015年9月15日(火) 13:30 〜 19:15 2R (231-2)

座長:立岡 浩一(静岡大),鵜殿 治彦(茨城大)

18:00 〜 18:15

[15p-2R-18] 真空蒸着法で作製したBaSi2膜の面方位の形成メカニズムの検討

〇(M2)中川 慶彦1、原 康祐2,3、黒川 康良1、末益 崇3,4、宇佐美 徳隆1,3 (1.名大院工、2.山梨大クリスタル研、3.JST-CREST、4.筑波大)

キーワード：BaSi2、真空蒸着