[15p-2T-1~18] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

[15p-2T-17] 非接触走査型非線形誘電率ポテンショメトリによる4H-SiC(000\bar{1})上グラフェンの観察

〇山末 耕平¹、吹留 博一¹、舩窪 一智¹、末光 眞希¹、長 康雄¹ (1.東北大通研)

キーワード：走査型非線形誘電率顕微鏡、走査型非線形誘電率ポテンショメトリ、グラフェン