[15p-2T-1~18] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

[15p-2T-18] 炭素ドープh-BNの電子状態計算

Xie Wei¹、柳瀬 隆¹、長浜 太郎¹、〇島田 敏宏¹ (1.北大・工)

キーワード：六方晶ボロンナイトライド、炭素ドーピング、電子状態計算

本研究では、h-BNのBまたはNを様々な位置で炭素原子に置換した場合の安定構造の電子状態を密度汎関数法で計算した。偶数個の炭素で同数のBとNを置換した場合、炭素の割合を増やしていくとバンドギャップが小さくなることがわかった。また、奇数個の炭素で置換した場合には金属になるが、NとBのどちらを多くするかによって仕事関数が大きく変化することがわかった。この2種類の金属層を2枚重ねた場合、２層中の炭素の位置関係によって、異なる層の炭素間にsp³混成軌道ができる場合、電荷移動錯体ができる場合、相互作用が小さい場合の３通りが起こることがわかった。