[15p-2T-1~18] 17.3 Exploration of new functions and evaluation of basic properties

△ [15p-2T-3] Novel Edge-Channel Interference in High-Mobility Graphene npn Junctions

〇Sei Morikawa¹, Satoru Masubuchi¹, Rai Moriya¹, Kenji Watanabe², Takashi Taniguchi², Tomoki Machida^1,3 (1.IIS, Univ. Tokyo, 2.NIMS, 3.INQIE, Univ.Tokyo)

Keywords:graphene,quantum interference,edge channel

h-BNを誘電層として用いた高移動度グラフェンnpn接合を作製し、顕著な磁気抵抗振動を観測した。振動周期が磁場や磁場の逆数に対して等間隔でないことから、新規の量子干渉の存在が示唆される。そこで我々は、pn界面を伝搬するエッジチャネルに注目し、その間を貫く磁束に量子化条件を与えることで、振動構造が再現できることを示した。グラフェンpn界面において新規のエッジチャネル干渉系を実現した初めての結果である。