[15p-2T-1~18] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

△ [15p-2T-3] 高移動度グラフェンnpn接合を用いたエッジチャネル干渉系の実現

〇森川 生¹、増渕 覚¹、守谷 頼¹、渡邊 賢司²、谷口 尚²、町田 友樹^1,3 (1.東大生研、2.物材機構、3.東大ナノ量子)

キーワード：グラフェン、量子干渉、エッジチャネル

h-BNを誘電層として用いた高移動度グラフェンnpn接合を作製し、顕著な磁気抵抗振動を観測した。振動周期が磁場や磁場の逆数に対して等間隔でないことから、新規の量子干渉の存在が示唆される。そこで我々は、pn界面を伝搬するエッジチャネルに注目し、その間を貫く磁束に量子化条件を与えることで、振動構造が再現できることを示した。グラフェンpn界面において新規のエッジチャネル干渉系を実現した初めての結果である。