[15p-2T-1~18] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

[15p-2T-4] 絶縁基板上グラフェンの高電界電子輸送特性

〇平井 秀樹¹、土屋 英昭¹、小川 真人¹ (1.神戸大工)

キーワード：基板上グラフェン、電子輸送、モンテカルロ法

グラフェンは室温で高い電子移動度を示すため電子デバイスへの応用が期待されるが、絶縁基板上のグラフェンは大幅な移動度低下を引き起こす。前回我々は、モンテカルロシミュレーションを用い、六方晶系BN基板を用いた場合にSiO2基板やHfO2基板よりも高い電子移動度が得られることを示した。本稿ではさらに、グラフェントランジスタの性能を評価する際に重要な高電界電子輸送特性について検討した結果を報告する。