[15p-2T-1~18] 17.3 Exploration of new functions and evaluation of basic properties

[15p-2T-6] Side-Illumination Tip-Enhanced Raman Imaging of Graphene Nanoribon

〇YOSHITO OKUNO¹, Sanpon Vantasin², TANAKA YOSHITO³, In-Sang Yang⁴, NAKATA YASUSHI¹, OZAKI YUKIHIRO², NAKA NOBUYUKI¹ (1.Horiba.Ltd, 2.Kwansei Gakuin Univ, 3.The Univ of Tokyo, 4.Ewha Womans Univ)

Keywords:Graphene,Near field,Raman microscopy

半導体デバイスの微細化に伴い、グラフェンを用いたトランジスターが注目を集めている。このデバイスの信頼性を含めた性能を把握するためには、ナノレベルでグラフェンの構造・欠陥などを評価することが重要である。本研究では、絶縁基板などの不透明基板上のナノレベル測定に有効な斜入射型先端増強ラマン分光法（TERS）により、回路の電極上に架橋させたグラフェンの物性を評価した。