[15p-2T-1~18] 17.3 新機能探索・基礎物性評価

[15p-2T-6] 斜入射先端増強ラマン分光法を用いたグラフェンナノリボンの観察

〇奥野 義人¹、Sanpon Vantasin²、田中 義人³、In-Sang Yang⁴、中田 靖¹、尾崎 幸洋²、中 庸行¹ (1.堀場製作所、2.関西学院大学理工、3.東大生産技術研、4.梨花女子大学)

キーワード：グラフェン、近接場、ラマン顕微分光

半導体デバイスの微細化に伴い、グラフェンを用いたトランジスターが注目を集めている。このデバイスの信頼性を含めた性能を把握するためには、ナノレベルでグラフェンの構造・欠陥などを評価することが重要である。本研究では、絶縁基板などの不透明基板上のナノレベル測定に有効な斜入射型先端増強ラマン分光法（TERS）により、回路の電極上に架橋させたグラフェンの物性を評価した。